Número de Producto del Fabricante:
FDP61N20
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDP61N20-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 61A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
103 Pcs Nuevos Originales En Stock
12847013
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ENVIAR
FDP61N20 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
UniFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
61A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
41mOhm @ 30.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3380 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
417W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FDP61
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
2156-FDP61N20-OS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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