FDP3672

Número de Producto del Fabricante:

FDP3672

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDP3672-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220

Descripción Detallada:

N-Channel 105 V 5.9A (Ta), 41A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

652 Pcs Nuevos Originales En Stock

12850868

Solicitar Cotización

Cantidad
Mínimo 1

(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas

ENVIAR

FDP3672 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalaje

Tube

Serie

PowerTrench®

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

105 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

5.9A (Ta), 41A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

6V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

33mOhm @ 41A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

37 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1670 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

135W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-220-3

Paquete / Caja

TO-220-3

Número de producto base

FDP36

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

50

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

Not Applicable

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Productos relacionados

onsemi

FQD11P06TM

MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

onsemi

FQD19N10TF

MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

onsemi

FDD8896-F085

MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA

onsemi

FQPF4N90CT

MOSFET N-CH 900V 4A TO220F