Número de Producto del Fabricante:
FDP10N60NZ
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDP10N60NZ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 185W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12838468
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ENVIAR
FDP10N60NZ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
UniFET-II™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
750mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1475 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
185W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FDP10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
2156-FDP10N60NZ-OS
ONSONSFDP10N60NZ
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXTP4N65X2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
232
NÚMERO DE PIEZA
IXTP4N65X2-DG
PRECIO UNITARIO
1.12
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
STP9N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
20
NÚMERO DE PIEZA
STP9N60M2-DG
PRECIO UNITARIO
0.54
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
AOT10N60
FABRICANTE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
769
NÚMERO DE PIEZA
AOT10N60-DG
PRECIO UNITARIO
0.60
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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