FDN357N
Número de Producto del Fabricante:

FDN357N

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDN357N-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 1.9A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventario:

21122 Pcs Nuevos Originales En Stock
12850974
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FDN357N Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
60mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.9 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
235 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23-3
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
FDN357

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
FDN357NCT
FDN357NDKR
FDN357NTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

FDB2614

MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK

onsemi

FDU6N25

MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK

onsemi

FDPF2D3N10C

MOSFET N-CH 100V 222A TO220F

onsemi

FDD26AN06A0-F085

MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA