Número de Producto del Fabricante:
FDN352AP
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDN352AP-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventario:
61417 Pcs Nuevos Originales En Stock
12849006
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ENVIAR
FDN352AP Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
180mOhm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.9 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
150 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23-3
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
FDN352
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
FDN352APTR
FDN352AP-DG
FDN352APDKR
FDN352APCT
2156-FDN352AP-OS
2832-FDN352APTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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