FDMS86201
Número de Producto del Fabricante:

FDMS86201

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDMS86201-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 120 V 11.6A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventario:

5527 Pcs Nuevos Originales En Stock
12846538
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FDMS86201 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
120 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11.6A (Ta), 49A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11.5mOhm @ 11.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2735 pF @ 60 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
FDMS86

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
FDMS86201DKR
FDMS86201TR
FDMS86201CT
2156-FDMS86201-OS

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

FCPF250N65S3L1

MOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3

alpha-and-omega-semiconductor

AO4407B

MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC

onsemi

FCD7N60TF

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

onsemi

FDMA510PZ

MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET