Número de Producto del Fabricante:
FDMD86100
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDMD86100-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6
Descripción Detallada:
Mosfet Array 100V 10A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6
Inventario:
1093 Pcs Nuevos Originales En Stock
12848017
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDMD86100 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Last Time Buy
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual) Common Source
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A
rds activados (máx.) @ id, vgs
10.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
30nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2060pF @ 50V
Potencia - Máx.
2.2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerWDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
8-Power 5x6
Número de producto base
FDMD86
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
FDMD86100CT
FDMD86100TR
FDMD86100DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
FDC6561AN
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
FDMA6023PZT
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
AO7600_001
MOSFET N/P-CH 20V 0.9A SC70-6
