FDMB506P
Número de Producto del Fabricante:

FDMB506P

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDMB506P-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 6.8A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)

Inventario:

12850501
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FDMB506P Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
30mOhm @ 6.8A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2960 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.9W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Paquete / Caja
8-PowerWDFN
Número de producto base
FDMB50

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
alpha-and-omega-semiconductor

AOI5N40

MOSFET N-CH 400V 4.2A TO251A

onsemi

FDPF44N25TRDTU

MOSFET N-CH 250V 44A TO220F

alpha-and-omega-semiconductor

AON7232

MOSFET N-CHANNEL 100V 37A 8DFN

onsemi

FQI10N60CTU

MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK