Número de Producto del Fabricante:
FDFS2P102
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDFS2P102-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 3.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12846459
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ENVIAR
FDFS2P102 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
125mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
270 pF @ 10 V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
900mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
FDFS2
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FDFS2P102_NLCT-DG
FDFS2P102_NLCT
FDFS2P102_NLTR-DG
FDFS2P102TR-NDR
FDFS2P102_NLTR
FDFS2P102CT
FDFS2P102CT-NDR
FDFS2P102_NL
FDFS2P102TR
FDFS2P102DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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