Número de Producto del Fabricante:
FDD8782
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDD8782-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12850713
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDD8782 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1220 pF @ 13 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
FDD878
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FDD8782TR
FDD8782DKR
FDD8782CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPD090N03LGATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
94138
NÚMERO DE PIEZA
IPD090N03LGATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.23
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
FDH15N50
MOSFET N-CH 500V 15A TO247-3
FDD5810
MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
FDMS7670AS
MOSFET N-CH 30V 22A/42A 8PQFN
