Número de Producto del Fabricante:
FDD86113LZ
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDD86113LZ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 5.5A (Tc) 3.1W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12926583
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ENVIAR
FDD86113LZ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
104mOhm @ 4.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
285 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 29W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
FDD86113
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FDD86113LZFSDKR
FDD86113LZFSCT
FDD86113LZFSTR
FDD86113LZ-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
DMN10H100SK3-13
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
4328
NÚMERO DE PIEZA
DMN10H100SK3-13-DG
PRECIO UNITARIO
0.23
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
STD15NF10T4
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
2040
NÚMERO DE PIEZA
STD15NF10T4-DG
PRECIO UNITARIO
0.48
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
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