FDD8580

Número de Producto del Fabricante:

FDD8580

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDD8580-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 20V 35A DPAK

Descripción Detallada:

N-Channel 20 V 35A (Tc) 49.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventario:

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12837630

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FDD8580 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalaje

-

Serie

PowerTrench®

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

20 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

35A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

9mOhm @ 35A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

27 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1445 pF @ 10 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

49.5W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-252AA

Paquete / Caja

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Número de producto base

FDD858

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

2,500

Otros nombres

FDD8580TR

FDD8580DKR

FDD8580CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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