Número de Producto del Fabricante:
FDD3510H
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDD3510H-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 80V 4.3A TO252
Descripción Detallada:
Mosfet Array 80V 4.3A, 2.8A 1.3W Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
12848460
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ENVIAR
FDD3510H Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel, Common Drain
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.3A, 2.8A
rds activados (máx.) @ id, vgs
80mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
800pF @ 40V
Potencia - Máx.
1.3W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Número de producto base
FDD3510
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FDD3510HTR
2156-FDD3510H-OS
ONSONSFDD3510H
FDD3510HCT
FDD3510HDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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