Número de Producto del Fabricante:
FDD24AN06LA0_SB82179
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDD24AN06LA0_SB82179-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 7.1A/40A TO252AA
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 7.1A (Ta), 40A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12847208
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDD24AN06LA0_SB82179 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.1A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
19mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
21 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1850 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
FDD24
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPD65R420CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
IPA80R460CEXKSA2
MOSFET N-CH 800V 10.8A TO220
HUF75631P3
MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
