Número de Producto del Fabricante:
FDC638P-P
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDC638P-P-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 4.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Inventario:
12997490
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ENVIAR
FDC638P-P Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
48mOhm @ 4.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1160 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SuperSOT™-6
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número de producto base
FDC638
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
488-FDC638P-PTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDC638P
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
4802
NÚMERO DE PIEZA
FDC638P-DG
PRECIO UNITARIO
0.16
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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