Número de Producto del Fabricante:
FDB8860
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDB8860-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 254W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
1 Pcs Nuevos Originales En Stock
12847985
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ENVIAR
FDB8860 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Cut Tape (CT)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.3mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
214 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
12585 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
254W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
FDB886
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
FDB8860CT
FDB8860DKR
FDB8860TR
2832-FDB8860TR
2156-FDB8860-OS
ONSONSFDB8860
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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