Número de Producto del Fabricante:
FDB8832
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDB8832-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 34A (Ta), 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12846189
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ENVIAR
FDB8832 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
34A (Ta), 80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
265 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11400 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
FDB883
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
2832-FDB8832TR
FDB8832CT
FDB8832DKR
FDB8832TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SUM90N03-2M2P-E3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
1612
NÚMERO DE PIEZA
SUM90N03-2M2P-E3-DG
PRECIO UNITARIO
1.59
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
STB80NF03L-04T4
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
691
NÚMERO DE PIEZA
STB80NF03L-04T4-DG
PRECIO UNITARIO
1.90
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Upgrade
Certificación DIGI
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