Número de Producto del Fabricante:
FDB33N25TM
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDB33N25TM-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 33A (Tc) 235W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12850027
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDB33N25TM Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
UniFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
33A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
94mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2135 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
235W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
FDB33N25
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
2156-FDB33N25TM-OS
FDB33N25TMDKR
FAIFSCFDB33N25TM
FDB33N25TMCT
FDB33N25TMTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPB17N25S3100ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
1583
NÚMERO DE PIEZA
IPB17N25S3100ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.89
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
