Número de Producto del Fabricante:
FDB1D7N10CL7
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDB1D7N10CL7-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 268A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12838601
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDB1D7N10CL7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
268A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 15V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.65mOhm @ 100A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 700µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
163 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11600 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Número de producto base
FDB1D7
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
FDB1D7N10CL7-DG
488-FDB1D7N10CL7TR
488-FDB1D7N10CL7CT
488-FDB1D7N10CL7DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
FQPF2N60C
MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
FQD12N20TM
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
FDPF4N60NZ
MOSFET N-CH 600V 3.8A TO220F
