Número de Producto del Fabricante:
FCPF190N65FL1-F154
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FCPF190N65FL1-F154-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 20.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventario:
971 Pcs Nuevos Originales En Stock
12955127
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ENVIAR
FCPF190N65FL1-F154 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
FRFET®, SuperFET® II
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20.6A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 2mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3055 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
39W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220F-3
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
FCPF190
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
488-FCPF190N65FL1-F154
2832-FCPF190N65FL1-F154
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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