Número de Producto del Fabricante:
FCPF11N60NT
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FCPF11N60NT-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 10.8A (Tc) 32.1W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventario:
12849117
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ENVIAR
FCPF11N60NT Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
SuperMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
299mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
35.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1505 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
32.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220F-3
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
FCPF11
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK10A60W,S4VX
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
49
NÚMERO DE PIEZA
TK10A60W,S4VX-DG
PRECIO UNITARIO
1.16
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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CANTIDAD DISPONIBLE
235
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PRECIO UNITARIO
0.55
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CANTIDAD DISPONIBLE
23
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PRECIO UNITARIO
1.61
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