Número de Producto del Fabricante:
FCP650N80Z
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FCP650N80Z-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 162W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12847028
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ENVIAR
FCP650N80Z Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
SuperFET® II
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
650mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 800µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1565 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
162W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FCP650
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
2156-FCP650N80Z
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FCP400N80Z
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
850
NÚMERO DE PIEZA
FCP400N80Z-DG
PRECIO UNITARIO
1.50
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IXTP10N60P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXTP10N60P-DG
PRECIO UNITARIO
2.26
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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