Número de Producto del Fabricante:
FCH067N65S3-F155
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FCH067N65S3-F155-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 44A TO247
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 44A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
900 Pcs Nuevos Originales En Stock
12930709
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ENVIAR
FCH067N65S3-F155 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
SuperFET® III
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
44A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
67mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 4.4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3090 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
312W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
FCH067
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
FCH067N65S3_F155
FCH067N65S3-F155OS
FCH067N65S3_F155-DG
FCH067N65S3-F155-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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