Número de Producto del Fabricante:
FCA16N60_F109
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FCA16N60_F109-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventario:
12849731
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ENVIAR
FCA16N60_F109 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
SuperFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
260mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2250 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3PN
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
FCA16
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFQ28N60P3
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
273
NÚMERO DE PIEZA
IXFQ28N60P3-DG
PRECIO UNITARIO
3.26
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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