Número de Producto del Fabricante:
DTD113E
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
DTD113E-DG
Descripción:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 350 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Inventario:
25000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12934311
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ENVIAR
DTD113E Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pre-biasados individuales
Fabricante
onsemi
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50 V
Resistencia - Base (R1)
1 kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
1 kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
3 @ 5mA, 10V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
500nA
Potencia - Máx.
350 mW
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92 (TO-226)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
11,539
Otros nombres
ONSONSDTD113E
2156-DTD113E
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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