Número de Producto del Fabricante:
2SK4066-1E
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
2SK4066-1E-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 100A TO262-3
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 100A (Ta) 1.65W (Ta), 90W (Tc) Through Hole TO-262-3
Inventario:
12836227
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ENVIAR
2SK4066-1E Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
12500 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.65W (Ta), 90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262-3
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
2SK4066
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
ONSONS2SK4066-1E
2156-2SK4066-1E-ON
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDP050AN06A0
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
6627
NÚMERO DE PIEZA
FDP050AN06A0-DG
PRECIO UNITARIO
1.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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