Número de Producto del Fabricante:
2SJ661-1E
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
2SJ661-1E-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 38A TO262-3
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 38A (Ta) 1.65W (Ta), 65W (Tc) Through Hole TO-262-3
Inventario:
12836422
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ENVIAR
2SJ661-1E Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
38A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
39mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4360 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.65W (Ta), 65W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262-3
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
2SJ661
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
2156-2SJ661-1E
ONSONS2SJ661-1E
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FQP47P06
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
FQP47P06-DG
PRECIO UNITARIO
1.40
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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