Número de Producto del Fabricante:
2SB1216S-E
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
2SB1216S-E-DG
Descripción:
TRANS PNP 100V 4A TP
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 130MHz 1 W Through Hole TP
Inventario:
12835690
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ENVIAR
2SB1216S-E Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo de transistor
PNP
Corriente - Colector (Ic) (Max)
4 A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
100 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Corriente - Corte del colector (máx.)
1µA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
140 @ 500mA, 5V
Potencia - Máx.
1 W
Frecuencia - Transición
130MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paquete de dispositivos del proveedor
TP
Número de producto base
2SB1216
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
2156-2SB1216S-E
ONSONS2SB1216S-E
1990-2SB1216S-E
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificación DIGI
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