Número de Producto del Fabricante:
PSMN8R5-108ESQ
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
PSMN8R5-108ESQ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 108 V 100A (Tj) 263W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventario:
12811991
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ENVIAR
PSMN8R5-108ESQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
108 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
111 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5512 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
263W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
PSMN8
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
568-11432-5
934068134127
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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