Número de Producto del Fabricante:
PSMN2R0-60ES,127
Product Overview
Fabricante:
NXP Semiconductors
Número de pieza:
PSMN2R0-60ES,127-DG
Descripción:
NEXPERIA PSMN2R0-60ES - 120A, 60
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventario:
7334 Pcs Nuevos Originales En Stock
12972984
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ENVIAR
PSMN2R0-60ES,127 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
137 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9997 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
338W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
PSMN2R0
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
214
Otros nombres
2156-PSMN2R0-60ES,127-954
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Vendor Undefined
Estado de REACH
REACH Unaffected
Certificación DIGI
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