PMV185XN,215

Número de Producto del Fabricante:

PMV185XN,215

Product Overview

Fabricante:

NXP USA Inc.

Número de pieza:

PMV185XN,215-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 1.1A TO236AB

Descripción Detallada:

N-Channel 30 V 1.1A (Ta) 325mW (Ta), 1.275W (Tc) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)

Inventario:

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12822695

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PMV185XN,215 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

NXP Semiconductors

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

30 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

1.1A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

2.5V, 4.5V

rds activados (máx.) @ id, vgs

250mOhm @ 1.1A, 4.5V

vgs(th) (máx.) @ id

1.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

1.3 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±12V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

76 pF @ 15 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

325mW (Ta), 1.275W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

SOT-23 (TO-236AB)

Paquete / Caja

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Número de producto base

PMV1

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

PMV185XN,215-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

3,000

Otros nombres

568-10831-6

2156-PMV185XN215-NXTR

PMV185XN,215-DG

NEXNXPPMV185XN,215

568-10831-2

934066753215

568-10831-1

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE

IRLML2803TRPBF

FABRICANTE

Infineon Technologies

CANTIDAD DISPONIBLE

57343

NÚMERO DE PIEZA

IRLML2803TRPBF-DG

PRECIO UNITARIO

0.08

TIPO DE SUSTITUCIÓN

MFR Recommended

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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