Número de Producto del Fabricante:
PMPB85ENEA115
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
PMPB85ENEA115-DG
Descripción:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 3A (Ta) 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
Inventario:
12938507
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ENVIAR
PMPB85ENEA115 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
95mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.7V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
305 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN2020MD-6
Paquete / Caja
6-UDFN Exposed Pad
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,525
Otros nombres
NEXNXPPMPB85ENEA115
2156-PMPB85ENEA115
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
Not applicable
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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