Número de Producto del Fabricante:
PMN40UPEA115
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
PMN40UPEA115-DG
Descripción:
P-CHANNEL MOSFET
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 4.7A (Ta) 500mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventario:
12938273
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
PMN40UPEA115 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
43mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
950mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1820 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP
Paquete / Caja
SC-74, SOT-457
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,110
Otros nombres
NEXNEXPMN40UPEA115
2156-PMN40UPEA115
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
Not applicable
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
RFL1N12
N-CHANNEL POWER MOSFET
RF1K49157
N-CHANNEL POWER MOSFET
SFU9214TU
P-CHANNEL POWER MOSFET
