Número de Producto del Fabricante:
PMN40ENE115
Product Overview
Fabricante:
NXP Semiconductors
Número de pieza:
PMN40ENE115-DG
Descripción:
NOW NEXPERIA PMN40ENE SMALL SIGN
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 4.5A (Ta) 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventario:
12947556
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ENVIAR
PMN40ENE115 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
38mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
294 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP
Paquete / Caja
SC-74, SOT-457
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
6,000
Otros nombres
2156-PMN40ENE115-NEX
NEXNXPPMN40ENE115
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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