PMN16XNE115

Número de Producto del Fabricante:

PMN16XNE115

Product Overview

Fabricante:

NXP USA Inc.

Número de pieza:

PMN16XNE115-DG

Descripción:

NOW NEXPERIA PMN16XNE SMALL SIGN

Descripción Detallada:

N-Channel 20 V 6.9A (Ta) 550mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea

12948026

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PMN16XNE115 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

NXP Semiconductors

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

20 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

6.9A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

1.5V, 4.5V

rds activados (máx.) @ id, vgs

19mOhm @ 6.9A, 4.5V

vgs(th) (máx.) @ id

0.9V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

17 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±12V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1136 pF @ 10 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

550mW (Ta), 6.25W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

6-TSOP

Paquete / Caja

SC-74, SOT-457

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

3,699

Otros nombres

2156-PMN16XNE115

NEXNXPPMN16XNE115

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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