Número de Producto del Fabricante:
PMGD175XN,115
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
PMGD175XN,115-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 900mA 390mW Surface Mount 6-TSSOP
Inventario:
12811613
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ENVIAR
PMGD175XN,115 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
900mA
rds activados (máx.) @ id, vgs
225mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.1nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
75pF @ 15V
Potencia - Máx.
390mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSSOP
Número de producto base
PMGD1
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
NEXNXPPMGD175XN,115
PMGD175XN,115-DG
2156-PMGD175XN,115-DG
2156-PMGD175XN115
2156-PMGD175XN115-NXTR-DG
568-10793-6
568-10793-2
934066754115
568-10793-1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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