Número de Producto del Fabricante:
PMFPB8040XP,115
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
PMFPB8040XP,115-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 2.7A (Ta) 485mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 6-HUSON (2x2)
Inventario:
161589 Pcs Nuevos Originales En Stock
12816903
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ENVIAR
PMFPB8040XP,115 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
102mOhm @ 2.7A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
550 pF @ 10 V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
485mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-HUSON (2x2)
Paquete / Caja
6-UFDFN Exposed Pad
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,567
Otros nombres
2156-PMFPB8040XP115
2156-PMFPB8040XP,115-DG
NEXNXPPMFPB8040XP,115
2156-PMFPB8040XP115-NXTR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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