PMCM6501VPEZ

Número de Producto del Fabricante:

PMCM6501VPEZ

Product Overview

Fabricante:

NXP Semiconductors

Número de pieza:

PMCM6501VPEZ-DG

Descripción:

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Descripción Detallada:

P-Channel 12 V 6.2A (Ta) 556mW (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount 6-WLCSP (1.48x0.98)

Inventario:

7773886 Pcs Nuevos Originales En Stock

12947728

Solicitar Cotización

Cantidad
Mínimo 1

(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas

ENVIAR

PMCM6501VPEZ Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

NXP Semiconductors

Embalaje

Bulk

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

P-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

12 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

6.2A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

1.8V, 4.5V

rds activados (máx.) @ id, vgs

25mOhm @ 3A, 4.5V

vgs(th) (máx.) @ id

900mV @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

29.4 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1400 pF @ 6 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

556mW (Ta), 12.5W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

6-WLCSP (1.48x0.98)

Paquete / Caja

6-XFBGA, WLCSP

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

PMCM6501VPEZ-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

1,528

Otros nombres

NEXNEXPMCM6501VPEZ

2156-PMCM6501VPEZ-NEX

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Productos relacionados

CMS07P10V8-HF

MOSFET P-CH 100V 2.2A/7A PRPAK

comchip-technology

A2N7002HL-HF

MOSFET N-CH 60V 300MA DFN1006-3

stmicroelectronics

STB11NM60T4

MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK

nxp-semiconductors

PH1225AL,115

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56