PMCM6501VPEZ
Número de Producto del Fabricante:

PMCM6501VPEZ

Product Overview

Fabricante:

NXP Semiconductors

Número de pieza:

PMCM6501VPEZ-DG

Descripción:

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 6.2A (Ta) 556mW (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount 6-WLCSP (1.48x0.98)

Inventario:

7773886 Pcs Nuevos Originales En Stock
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PMCM6501VPEZ Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
25mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
900mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
29.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1400 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
556mW (Ta), 12.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-WLCSP (1.48x0.98)
Paquete / Caja
6-XFBGA, WLCSP

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
1,528
Otros nombres
NEXNEXPMCM6501VPEZ
2156-PMCM6501VPEZ-NEX

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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