Número de Producto del Fabricante:
PHM18NQ15T,518
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
PHM18NQ15T,518-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 19A 8HVSON
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 19A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (5x6)
Inventario:
12822501
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ENVIAR
PHM18NQ15T,518 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
75mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
26.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1150 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-HVSON (5x6)
Paquete / Caja
8-VDFN Exposed Pad
Número de producto base
PHM18
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
PHM18NQ15T /T3
PHM18NQ15T /T3-DG
934057306518
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
BSC520N15NS3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
13559
NÚMERO DE PIEZA
BSC520N15NS3GATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.60
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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