Número de Producto del Fabricante:
PBSS8110AS,126
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
PBSS8110AS,126-DG
Descripción:
TRANS NPN 100V 1A TO92-3
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 1 A 100MHz 830 mW Through Hole TO-92-3
Inventario:
12871706
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ENVIAR
PBSS8110AS,126 Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo de transistor
NPN
Corriente - Colector (Ic) (Max)
1 A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
100 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
200mV @ 100mA, 1A
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
150 @ 250mA, 10V
Potencia - Máx.
830 mW
Frecuencia - Transición
100MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92-3
Número de producto base
PBSS8
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
PBSS8110AS AMO-DG
934057764126
PBSS8110AS AMO
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificación DIGI
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