NX3008NBKMB315
Número de Producto del Fabricante:

NX3008NBKMB315

Product Overview

Fabricante:

NXP USA Inc.

Número de pieza:

NX3008NBKMB315-DG

Descripción:

NOW NEXPERIA NX3008NBKMB SMALL S
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 530mA (Ta) 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3

Inventario:

12947544
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

NX3008NBKMB315 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
530mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
680 pC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
50 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN1006B-3
Paquete / Caja
SC-101, SOT-883

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
9,552
Otros nombres
2156-NX3008NBKMB315
NEXNXPNX3008NBKMB315

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
comchip-technology

CMS10P10D-HF

MOSFET P-CH 100V 10A DPAK

onsemi

NTMFD001N03P9

POWER MOSFET, N-CHANNEL POWERTRE

fairchild-semiconductor

FDME820NZT

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

stmicroelectronics

STS9P2UH7

MOSFET P-CH 20V 9A 8SO