Número de Producto del Fabricante:
NX2301P,215
Product Overview
Fabricante:
NXP Semiconductors
Número de pieza:
NX2301P,215-DG
Descripción:
P-CHANNEL 20V 2A (TA) 400MW (TA)
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 400mW (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Inventario:
159000 Pcs Nuevos Originales En Stock
13000789
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ENVIAR
NX2301P,215 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
120mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
380 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
400mW (Ta), 2.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-236AB
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Información Adicional
Paquete Estándar
10,000
Otros nombres
2832-NX2301P,215TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0080
Certificación DIGI
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