BUK7E3R1-40E,127
Número de Producto del Fabricante:

BUK7E3R1-40E,127

Product Overview

Fabricante:

NXP Semiconductors

Número de pieza:

BUK7E3R1-40E,127-DG

Descripción:

NEXPERIA BUK7E3R1-40E - 100A, 40
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 234W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventario:

1263 Pcs Nuevos Originales En Stock
12996589
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BUK7E3R1-40E,127 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.1mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
79 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6200 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
234W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
398
Otros nombres
2156-BUK7E3R1-40E,127-954

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Vendor Undefined
Estado de REACH
REACH Unaffected
Certificación DIGI
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