BUK762R7-30B118
Número de Producto del Fabricante:

BUK762R7-30B118

Product Overview

Fabricante:

NXP USA Inc.

Número de pieza:

BUK762R7-30B118-DG

Descripción:

NOW NEXPERIA BUK762R7-30B 75A, 3
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 75A (Ta) 300W (Ta) Surface Mount D2PAK

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea
12954304
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BUK762R7-30B118 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
75A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6212 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
BUK762R7-30B118
Hoja de datos HTML
BUK762R7-30B118-DG

Información Adicional

Paquete Estándar
355
Otros nombres
NEXNXPBUK762R7-30B118
2156-BUK762R7-30B118

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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