Número de Producto del Fabricante:
BUK6E4R0-75C,127
Product Overview
Fabricante:
NXP Semiconductors
Número de pieza:
BUK6E4R0-75C,127-DG
Descripción:
NEXPERIA BUK6E4R0-75C - 120A, 75
Descripción Detallada:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventario:
19992 Pcs Nuevos Originales En Stock
12996495
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
BUK6E4R0-75C,127 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
75 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.8V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
234 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
15450 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
306W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
273
Otros nombres
2156-BUK6E4R0-75C,127-954
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Vendor Undefined
Estado de REACH
REACH Unaffected
Certificación DIGI
Productos relacionados
RW4E065GNTCL1
NCH 30V 6.5A, HEML1616L7, POWER
IRF644B-FP001
IRF644B - DISCRETE MOSFET
PMZ1000UN,315
NEXPERIA PMZ1000UN - SMALL SIGNA
