Número de Producto del Fabricante:
BUK6C3R3-75C,118
Product Overview
Fabricante:
NXP Semiconductors
Número de pieza:
BUK6C3R3-75C,118-DG
Descripción:
NEXPERIA BUK6C3R3 - N-CHANNEL TR
Descripción Detallada:
N-Channel 75 V 181A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventario:
480 Pcs Nuevos Originales En Stock
12996786
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ENVIAR
BUK6C3R3-75C,118 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
75 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
181A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.4mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.8V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
253 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
15800 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK-7
Paquete / Caja
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
205
Otros nombres
2156-BUK6C3R3-75C,118-954
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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