BS108,126

Número de Producto del Fabricante:

BS108,126

Product Overview

Fabricante:

NXP USA Inc.

Número de pieza:

BS108,126-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 200V 300MA TO92-3

Descripción Detallada:

N-Channel 200 V 300mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3

Inventario:

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12823460

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BS108,126 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

NXP Semiconductors

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

200 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

300mA (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

2.8V

rds activados (máx.) @ id, vgs

5Ohm @ 100mA, 2.8V

vgs(th) (máx.) @ id

1.8V @ 1mA

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

120 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

1W (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-92-3

Paquete / Caja

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

Número de producto base

BS10

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

2,000

Otros nombres

BS108 AMO-DG

934003840126

BS108 AMO

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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