Número de Producto del Fabricante:
BDV65
Product Overview
Fabricante:
NTE Electronics, Inc
Número de pieza:
BDV65-DG
Descripción:
TRANS NPN 60V 12A TO218
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 12 A 60MHz 125 W Through Hole TO-218
Inventario:
613 Pcs Nuevos Originales En Stock
12923205
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ENVIAR
BDV65 Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
NTE Electronics, Inc.
Embalaje
Bag
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN
Corriente - Colector (Ic) (Max)
12 A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
60 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
-
Corriente - Corte del colector (máx.)
-
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
1000 @ 5A, 4V
Potencia - Máx.
125 W
Frecuencia - Transición
60MHz
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-218-3
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-218
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
2368-BDV65
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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