Número de Producto del Fabricante:
PSMN3R9-100YSFX
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
PSMN3R9-100YSFX-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 120A (Ta) 245W (Ta) Surface Mount LFPAK56; Power-SO8
Inventario:
15186 Pcs Nuevos Originales En Stock
13140453
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ENVIAR
PSMN3R9-100YSFX Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
111 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7360 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
245W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
LFPAK56; Power-SO8
Paquete / Caja
SOT-1023, 4-LFPAK
Número de producto base
PSMN3R9
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
934660621115
1727-PSMN3R9-100YSFXTR
1727-PSMN3R9-100YSFXDKR
1727-PSMN3R9-100YSFXCT
5202-PSMN3R9-100YSFXTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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