Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Chile
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Chile
Cambiar:
Inglés
Europa
Reino Unido
Francia
España
Turquía
Moldavia
Lituania
Noruega
Alemania
Portugal
Eslovaquia
ltaly
Finlandia
Ruso
Bulgaria
Dinamarca
Estonia
Polonia
Ucrania
Eslovenia
Checo
Griego
Croacia
Israel
Serbia
Bielorrusia
Países Bajos
Suecia
Montenegro
Vasco
Islandia
Bosnia
Húngaro
Rumania
Austria
Bélgica
Irlanda
Asia / Pacífico
China
Vietnam
Indonesia
Tailandia
Laos
Filipino
Malasia
Corea
Japón
Hong-kong
Taiwán
Singapur
Pakistán
Arabia Saudí
Qatar
Kuwait
Camboya
Myanmar
África, India y Oriente Medio
Emiratos Árabes Unidos
Tayikistán
Madagascar
India
Irán
República Democrática del Congo
Sudáfrica
Egipto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marruecos
Túnez
América del Sur / Oceanía
Nueva Zelanda
Angola
Brasil
Mozambique
Perú
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
América del Norte
Estados Unidos
Haití
Canadá
Costa Rica
México
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
NX7002BKXBZ
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
NX7002BKXBZ-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN
Descripción Detallada:
Mosfet Array 60V 260mA 285mW Surface Mount DFN1010B-6
Inventario:
22400 Pcs Nuevos Originales En Stock
12839583
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
NX7002BKXBZ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
260mA
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.8Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
23.6pF @ 10V
Potencia - Máx.
285mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-XFDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN1010B-6
Número de producto base
NX7002
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
NX7002BKXBZ
Hoja de datos HTML
NX7002BKXBZ-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
568-12540-2-DG
934068992147
568-12540-1-DG
568-12540-1
568-12540-2
1727-2254-1
1727-2254-2
5202-NX7002BKXBZTR
568-12540-6-DG
568-12540-6
1727-2254-6
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
FDS8984-F085
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
EFC6602R-TR
MOSFET 2N-CH EFCP2718
FDS9933BZ
MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
FDS4559
MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC